RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1586
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link