RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
23.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
18.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
4208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link