RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2645
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link