RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 78

Rund um 62% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.1 11.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.3 8.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 14200

Rund um 1.35 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2458 2113

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns