RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link