RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
62
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link