RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gründe für die Berücksichtigung
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 62

Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.4 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.5 5.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1612 2690

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns