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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2066
1854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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