RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
44
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
32
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1919
2022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link