RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
65
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link