RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
65
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2723
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link