RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
72
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1918
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link