RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
65
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link