RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
65
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
7.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2162
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Micron Technology 72JSZS4G72L1G9E2A7 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link