RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
25.5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
25.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
18.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link