RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 37

Rund um 35% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.9 16

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.8 12.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 19200

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2925 3170

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns