RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2944
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link