RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link