RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 89

Rund um 73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 14.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 7.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 19200

Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2925 1571

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns