RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link