RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
122
Rund um 80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
122
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link