RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
99
Rund um 76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
99
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1499
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link