RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link