RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link