RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
17.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Jinyu 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link