RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link