RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
3279
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link