RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
50
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
2111
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link