RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
16.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
3465
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link