RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
76
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
1260
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link