RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
61
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,670.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,529.3
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
517
2248
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-021.A00LF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Mushkin 994083 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link