RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
3061
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link