RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
56
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.5
5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
2,160.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
7.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
2138
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link