RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1976
2938
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link