RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
35
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.1
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
22.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
18.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
3847
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link