RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
73
Rund um -192% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
17.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
4106
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link