RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
73
Rund um -204% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
12.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
2852
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link