RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
47
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2128
3437
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2133C9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link