RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
75
Rund um -275% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3473
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link