RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
75
Rund um -178% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3711
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link