RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3809
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link