RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
2481
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link