RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
3726
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link