RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
76
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
1624
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link