RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
2863
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link