RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
3509
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link