RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
3498
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link