RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2414
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link