RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Gesamtnote
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K531R8-MIN 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
3595
Kingston K531R8-MIN 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link