RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K531R8-MIN 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
2829
Kingston K531R8-MIN 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link